三星或采用2nm工艺开发HBM5

2026 年 3 月 18 日 08:50 作者：zhangsan 分类：快讯

三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。(科创板日报)